г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPA086N10N3 G Infineon Technologies

Артикул
IPA086N10N3 G
Бренд
Infineon Technologies
Описание
OPTLMOS 3 POWER MOSFET,
Цена
98 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
*
REACH Unaffected
1
IFEINFIPA086N10N3-G,2156-IPA086N10N3 G
8541.29.0095
EAR99
Not applicable
Active
Bulk
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: JANTXV1N5802US
Бренд: Semtech
Описание: D MET 2.5A SFST 50V HRV 2FFTV, Diode Standard 50 V 1.1A Surface Mount -
Подробнее
Артикул: SF4007-TR
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE AVAL 1A 1000V SOD-57, Diode Avalanche 1000 V 1A Through Hole SOD-57
Подробнее
Артикул: IRF9630
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB, P-Channel 200 V 6.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: MMBTA42-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: BSS138LT1G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3, N-Channel 50 V 200mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: RS2003M
Бренд: Rectron
Описание: BRIDGE RECT GLASS 200V 20A RS20M, Bridge Rectifier Single Phase Standard 200 V Through Hole RS-20M
Подробнее