г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPA60R280P7XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPA60R280P7XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 12A TO220, N-Channel 600 V 12A (Tc) 24W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Цена
444 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPA60R280P7XKSA1.jpg
SP001658302,IFEINFIPA60R280P7XKSA1,2156-IPA60R280P7XKSA1
MOSFET (Metal Oxide)
24W (Tc)
N-Channel
600 V
12A (Tc)
280mOhm @ 3.8A, 10V
4V @ 190µA
18 nC @ 10 V
761 pF @ 400 V
-
10V
IPA60R280
Through Hole
CoolMOS™ P7
Tube
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-220-3 Full Pack
PG-TO220-FP
ROHS3 Compliant
Not Applicable
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
50
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: PM300DSA120
Бренд: Powerex
Описание: MOD IPM DUAL 1200V 300A, Power Driver Module IGBT 1 Phase Inverter 1.2 kV 300 A Power Module
Подробнее
Артикул: MUR110
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL, Diode Standard 100 V 1A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 1N5059
Бренд: DComponents
Описание: ST Rect, 200V, 2A, Diode Standard 200 V 2A Through Hole DO-15 (DO-204AC)
Подробнее
Артикул: MJD127TF
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 8 A - 1.75 W Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IXYX100N120C3
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 1200V 188A 1150W PLUS247, IGBT - 1200 V 188 A 1150 W Through Hole PLUS247™-3
Подробнее
Артикул: 1SNA231030R2400
Бренд: TE Connectivity
Описание: RC510 1->100 HORIZONTAL,
Подробнее