г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPAN60R125PFD7SXKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPAN60R125PFD7SXKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 650V 25A TO220, N-Channel 650 V 25A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Цена
549 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPAN60R125PFD7SXKSA1.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
650 V
25A (Tc)
10V
125mOhm @ 7.8A, 10V
4.5V @ 390µA
36 nC @ 10 V
±20V
1503 pF @ 400 V
-
PG-TO220-FP
TO-220-3 Full Pack
Through Hole
CoolMOS™PFD7
Tube
Active
448-IPAN60R125PFD7SXKSA1,SP003235924
50
Not Applicable
EAR99
8541.29.0095
IPAN60
ROHS3 Compliant
-40°C ~ 150°C (TJ)
32W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SPB-36-A
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 2-1/4" ALUMINUM SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: FKP202
Бренд: Sanken
Описание: MOSFET N-CH 200V 45A TO220, N-Channel 200 V 45A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: GSIB2540-E3/45
Бренд: VISHAY
Описание: BRIDGE RECT 1P 400V 3.5A GSIB-5S, Bridge Rectifier Single Phase Standard 400 V Through Hole GSIB-5S
Подробнее
Артикул: IXA60IF1200NA
Бренд: IXYS
Описание: IGBT MOD 1200V 88A 290W SOT227B, IGBT Module PT Single 1200 V 88 A 290 W Chassis, Stud Mount SOT-227B
Подробнее
Артикул: 2N1613
Бренд: Harris
Описание: NPN TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 500 mA - 800 mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Подробнее
Артикул: IRGP4740DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V TO-247, IGBT - 650 V 60 A 250 W Through Hole TO-247AD
Подробнее