IPB083N10N3GATMA1 Infineon Technologies
Артикул
IPB083N10N3GATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK, N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Цена
324 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPB083N10N3GATMA1.jpg
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PG-TO263-3
REACH Unaffected
N-Channel
100 V
6V, 10V
8.3mOhm @ 73A, 10V
3.5V @ 75µA
55 nC @ 10 V
±20V
3980 pF @ 50 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
ROHS3 Compliant
OptiMOS™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
80A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
IPB083N10N3 GDKR-ND,IPB083N10N3G,IPB083N10N3 G,IPB083N10N3GATMA1DKR,SP000458812,IPB083N10N3GATMA1TR,IPB083N10N3 GDKR,IPB083N10N3 GCT,IPB083N10N3 G-ND,IPB083N10N3 GCT-ND,IPB083N10N3GATMA1CT,IPB083N10N3 GTR-ND
1,000
Surface Mount
-55°C ~ 175°C (TJ)
IPB083
125W (Tc)
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут