г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPB110P06LMATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPB110P06LMATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3, P-Channel 60 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Цена
889 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPB110P06LMATMA1.jpg
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PG-TO263-3-2
REACH Unaffected
P-Channel
60 V
4.5V, 10V
11mOhm @ 100A, 10V
2V @ 5.55mA
281 nC @ 10 V
±20V
8500 pF @ 30 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
ROHS3 Compliant
OptiMOS™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
100A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
448-IPB110P06LMATMA1TR,SP004987252,448-IPB110P06LMATMA1CT,IPB110P06LMATMA1-ND,448-IPB110P06LMATMA1DKR
1,000
Surface Mount
-55°C ~ 175°C (TJ)
IPB110
300W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: DFLS130L-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 30V 1A POWERDI123, Diode Schottky 30 V 1A Surface Mount PowerDI™ 123
Подробнее
Артикул: US1J-E3/61T
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC, Diode Standard 600 V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: STB70NF3LLT4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK, N-Channel 30 V 70A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IXFK48N50
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 500V 48A TO264AA, N-Channel 500 V 48A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Подробнее
Артикул: 20CJQ060TR
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V SOT223, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60 V 1A Surface Mount TO-261-4, TO-261AA
Подробнее
Артикул: IRFR7446TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 56A DPAK, N-Channel 40 V 56A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее