г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPB117N20NFDATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPB117N20NFDATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3, N-Channel 200 V 84A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Цена
1 085 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPB117N20NFDATMA1.jpg
IPB117N20NFDATMA1-ND,IPB117N20NFDATMA1CT,IPB117N20NFDATMA1TR,IPB117N20NFDATMA1DKR,SP001107232
MOSFET (Metal Oxide)
300W (Tc)
N-Channel
200 V
84A (Tc)
11.7mOhm @ 84A, 10V
4V @ 270µA
87 nC @ 10 V
6650 pF @ 100 V
-
10V
IPB117
Surface Mount
OptiMOS™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PG-TO263-3-2
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1,000
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1316-4-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON3/16, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.188" (4.78mm) 3/16" -
Подробнее
Артикул: ADP001
Бренд: Pimoroni
Описание: SATA HARD DRIVE TO USB ADAPTER,
Подробнее
Артикул: GBPC2504W
Бренд: GeneSiC Semiconductor
Описание: BRIDGE RECT 1P 400V 25A GBPC-W, Bridge Rectifier Single Phase Standard 400 V Through Hole GBPC-W
Подробнее
Артикул: TIP105
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 8 A 4MHz 80 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FF600R12KE4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 600A, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 600 A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BCM846BS
Бренд: DComponents
Описание: BI Trst. 65V, 100mA, NPN, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
Подробнее