IPB12CN10N G Infineon Technologies
Артикул
IPB12CN10N G
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 67A D2PAK, N-Channel 100 V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPB12CN10N-G.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
125W (Tc)
N-Channel
100 V
67A (Tc)
12.6mOhm @ 67A, 10V
4V @ 83µA
65 nC @ 10 V
4320 pF @ 50 V
-
10V
IPB12CN10N G-ND,IPB12CN10NG,SP000096450
Surface Mount
OptiMOS™
Tape & Reel (TR)
Obsolete
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PG-TO263-3
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1,000
±20V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут