г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPB180P04P4L02ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPB180P04P4L02ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7, P-Channel 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Цена
655 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPB180P04P4L02ATMA1.jpg
IPB180P04P4L02ATMA1DKR,IPB180P04P4L02ATMA1TR,SP000709460,IPB180P04P4L02ATMA1CT
MOSFET (Metal Oxide)
150W (Tc)
P-Channel
40 V
180A (Tc)
2.4mOhm @ 100A, 10V
2.2V @ 410µA
286 nC @ 10 V
18700 pF @ 25 V
-
4.5V, 10V
IPB180
Surface Mount
OptiMOS™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Not For New Designs
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-263-7, D?Pak (6 Leads + Tab)
PG-TO263-7-3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1,000
±16V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BFN18H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANSISTOR AF SOT89-4, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 200 mA 70MHz 1.5 W Surface Mount PG-SOT89
Подробнее
Артикул: IXKH47N60C
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD, N-Channel 600 V 47A (Tc) - Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRLIB9343PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 14A TO220AB FP, P-Channel 55 V 14A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: 1450-12-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON1/2 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.813" (46.04mm) -
Подробнее
Артикул: 2N2904
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 40V 600MA TO39, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 600 mA - 600 mW Surface Mount TO-39
Подробнее
Артикул: PET-7H16M
Бренд: ICP DAS
Описание: ETHERNET HIGH SPEED DATA ACQUISI, Input, Output (I/O) Module DIN Rail 12 ~ 48VDC
Подробнее