г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPC100N04S52R8ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPC100N04S52R8ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34, N-Channel 40 V 100A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Цена
234 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPC100N04S52R8ATMA1.jpg
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-34
REACH Unaffected
N-Channel
40 V
7V, 10V
2.8mOhm @ 50A, 10V
3.4V @ 30µA
45 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 25 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
ROHS3 Compliant
OptiMOS™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
100A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
IPC100N04S52R8ATMA1-ND,2156-IPC100N04S52R8ATMA1,INFINFIPC100N04S52R8ATMA1,IPC100N04S52R8ATMA1CT,IPC100N04S52R8ATMA1TR,IPC100N04S52R8ATMA1DKR,SP001418102
5,000
Surface Mount
-55°C ~ 175°C (TJ)
IPC100
75W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 30132-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CIRCUIT BOARD SUPPORT, Board Support /
Подробнее
Артикул: 1549-E-2-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN BRASS3/16, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.313" (7.94mm) -
Подробнее
Артикул: IPD60R380C6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3, N-Channel 600 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IXFH100N25P
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 250V 100A TO247AD, N-Channel 250 V 100A (Tc) 600W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Подробнее
Артикул: IRGP6690DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 140A 483W TO247AC, IGBT - 600 V 140 A 483 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: 1224-10-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON1/2, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.688" (17.48mm) 11/16" -
Подробнее