г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPD048N06L3GBTMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPD048N06L3GBTMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3, N-Channel 60 V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Цена
265 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPD048N06L3GBTMA1.jpg
IPD048N06L3 G-ND,IPD048N06L3GBTMA1TR,IPD048N06L3 G,IPD048N06L3GBTMA1DKR,SP000453334,IPD048N06L3GBTMA1CT
MOSFET (Metal Oxide)
115W (Tc)
N-Channel
60 V
90A (Tc)
4.8mOhm @ 90A, 10V
2.2V @ 58µA
50 nC @ 4.5 V
8400 pF @ 30 V
-
4.5V, 10V
IPD048
Surface Mount
OptiMOS™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PG-TO252-3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
2,500
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRF7424TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO, P-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: SI4488DY-T1-E3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO, N-Channel 150 V 3.5A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: APT2X101DQ60J
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE MODULE 600V 100A ISOTOP, Diode Array 2 Independent Standard 600 V 100A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
Подробнее
Артикул: IRFP7430PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC, N-Channel 40 V 195A (Tc) 366W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF740
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB, N-Channel 400 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: NSR0620P2T5G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD923, Diode Schottky 20 V 500mA (DC) Surface Mount SOD-923
Подробнее