г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPD060N03LG Infineon Technologies

Артикул
IPD060N03LG
Бренд
Infineon Technologies
Описание
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET,
Цена
47 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPD060N03LG.jpg
*
Bulk
Active
0000.00.0000
IFEINFIPD060N03LG,2156-IPD060N03LG
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRFD9120
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP, P-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Подробнее
Артикул: 1131-4-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: 1/4 RD X 11/16 X .115 ID, Round Spacer Unthreaded - Aluminum 0.688" (17.46mm) -
Подробнее
Артикул: 1N5254B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 27V 500MW, Zener Diode 27 V 500 mW ±0.5% Through Hole -
Подробнее
Артикул: IRF7488TRPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6, N-Channel 80 V 6.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: UPS140E3/TR7
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 1A POWERMITE1, Diode Schottky 40 V 1A Surface Mount Powermite 1 (DO216-AA)
Подробнее
Артикул: MG12300WB-BN2MM
Бренд: Littelfuse
Описание: IGBT MODULE 1200V 500A 1400W WB, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 500 A 1400 W Chassis Mount WB
Подробнее