г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPD060N03LGATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3, N-Channel 30 V 50A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Цена
193 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPD060N03LGATMA1.jpg
IPD060N03LGINCT-ND,IPD060N03LGATMA1CT,IPD060N03LGINTR,IPD060N03LGATMA1TR,IPD060N03LG,IPD060N03LGXT,2156-IPD060N03LGATMA1,IPD060N03L G,IPD060N03LGINTR-ND,IFEINFIPD060N03LGATMA1,SP000680632,IPD060N03LGINDKR,IPD060N03LGINCT,IPD060N03LGATMA1DKR,IPD060N03LGIND
MOSFET (Metal Oxide)
56W (Tc)
N-Channel
30 V
50A (Tc)
6mOhm @ 30A, 10V
2.2V @ 250µA
23 nC @ 10 V
2400 pF @ 15 V
-
4.5V, 10V
IPD060
Surface Mount
OptiMOS™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PG-TO252-3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
2,500
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FDC3616N
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 3.7A SUPERSOT6, N-Channel 100 V 3.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6 FLMP
Подробнее
Артикул: IRGB30B60KPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IGBT, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N, IGBT NPT 600 V 78 A 370 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: KBL402
Бренд: EIC SEMICONDUCTOR
Описание: STD 4A, CASE TYPE: KBL, Bridge Rectifier Single Phase Standard 200 V Through Hole KBL
Подробнее
Артикул: 0135-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STEEL7/16HD X, #8-32 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel
Подробнее
Артикул: MS2211
Бренд: Microsemi
Описание: RF TRANS NPN 48V 1.215GHZ M222, RF Transistor NPN 48V 900mA 960MHz ~ 1.215GHz 25W Chassis Mount M222
Подробнее
Артикул: 1N5402G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 3A 200V DO-201AD, Diode Standard 200 V 3A (DC) Through Hole DO-201AD
Подробнее