IPD082N10N3GATMA1 Infineon Technologies
Артикул
IPD082N10N3GATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3, N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Цена
386 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPD082N10N3GATMA1.jpg
IPD082N10N3GATMA1-ND,IPD082N10N3GATMA1TR,SP001127824,IPD082N10N3GATMA1CT,IPD082N10N3GATMA1DKR
MOSFET (Metal Oxide)
125W (Tc)
N-Channel
100 V
80A (Tc)
8.2mOhm @ 73A, 10V
3.5V @ 75µA
55 nC @ 10 V
3980 pF @ 50 V
-
6V, 10V
IPD082
Surface Mount
OptiMOS™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PG-TO252-3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
2,500
±20V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут