IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies
Артикул
IPD110N12N3GATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3, N-Channel 120 V 75A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Цена
427 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPD110N12N3GATMA1.jpg
SP001127808,IPD110N12N3GATMA1TR,IPD110N12N3GATMA1DKR,IPD110N12N3GATMA1CT
MOSFET (Metal Oxide)
136W (Tc)
N-Channel
120 V
75A (Tc)
11mOhm @ 75A, 10V
3V @ 83µA (Typ)
65 nC @ 10 V
4310 pF @ 60 V
-
10V
IPD110
Surface Mount
OptiMOS™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PG-TO252-3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
2,500
±20V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут