IPD180N10N3GBTMA1 Infineon Technologies
Артикул
IPD180N10N3GBTMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3, N-Channel 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPD180N10N3GBTMA1.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
71W (Tc)
N-Channel
100 V
43A (Tc)
18mOhm @ 33A, 10V
3.5V @ 33µA
25 nC @ 10 V
1800 pF @ 50 V
-
6V, 10V
IPD180N10N3 GTR-ND,SP000482438,IPD180N10N3 G,IPD180N10N3GBTMA1CT,IPD180N10N3 GDKR-ND,IPD180N10N3G,IPD180N10N3 GCT,IPD180N10N3 GCT-ND,IPD180N10N3GBTMA1TR,IPD180N10N3 GDKR,IPD180N10N3GXT,IPD180N10N3 G-ND,IPD180N10N3GBTMA1DKR
Surface Mount
2,500
OptiMOS™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Discontinued at Digi-Key
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PG-TO252-3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
±20V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут