IPD60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies
Артикул
IPD60R1K0CEATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO252-3, N-Channel 600 V 4.3A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPD60R1K0CEATMA1.jpg
37W (Tc)
N-Channel
600 V
4.3A (Tc)
1Ohm @ 1.5A, 10V
3.5V @ 130µA
13 nC @ 10 V
280 pF @ 100 V
-
10V
MOSFET (Metal Oxide)
IPD60R1K0CEATMA1TR,INFINFIPD60R1K0CEATMA1,IPD60R1K0CEATMA1CT,SP001276032,2156-IPD60R1K0CEATMA1-ITTR-ND,IPD60R1K0CEATMA1DKR,2156-IPD60R1K0CEATMA1
Surface Mount
CoolMOS™ CE
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
-40°C ~ 150°C (TJ)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PG-TO252-3
3 (168 Hours)
EAR99
8541.29.0095
2,500
±20V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут