г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPD60R2K1CEAUMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3, N-Channel 600 V 2.3A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Цена
126 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPD60R2K1CEAUMA1.jpg
IPD60R2K1CEAUMA1CT,IPD60R2K1CEAUMA1DKR,IPD60R2K1CEAUMA1TR,IPD60R2K1CEAUMA1-ND,SP001396904
MOSFET (Metal Oxide)
38W (Tc)
N-Channel
600 V
2.3A (Tc)
2.1Ohm @ 760mA, 10V
3.5V @ 60µA
6.7 nC @ 10 V
140 pF @ 100 V
-
10V
IPD60R2
Surface Mount
CoolMOS™ CE
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-40°C ~ 150°C (TJ)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PG-TO252-3
ROHS3 Compliant
3 (168 Hours)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
2,500
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRL1004PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB, N-Channel 40 V 130A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: MJE13007
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 400V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 8 A 14MHz 80 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 1318-4-B-2
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERCADMIUM QQ-P-416F-CLAS, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.313" (7.94mm) Clear
Подробнее
Артикул: 2N5880
Бренд: Microchip Technology
Описание: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: 1N4148W
Бренд: MDD
Описание: SWITCHING SOD-123, 100V, Diode Standard 75 V 150mA Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: APT30D40BG
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE GEN PURP 400V 30A TO247, Diode Standard 400 V 30A Through Hole TO-247 [B]
Подробнее