IPD65R660CFDBTMA1 Infineon Technologies
Артикул
IPD65R660CFDBTMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3, N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Цена
100 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPD65R660CFDBTMA1.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
62.5W (Tc)
N-Channel
650 V
6A (Tc)
660mOhm @ 2.1A, 10V
4.5V @ 200µA
22 nC @ 10 V
615 pF @ 100 V
-
10V
IPD65R660CFDBTMA1TR,IPD65R660CFD-ND,IPD65R660CFD,2156-IPD65R660CFDBTMA1,INFINFIPD65R660CFDBTMA1,SP000745024
Surface Mount
2,500
CoolMOS™
Tape & Reel (TR)
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PG-TO252-3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
±20V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут