г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPDD60R102G7XTMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPDD60R102G7XTMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 23A HDSOP-10, N-Channel 600 V 23A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
Цена
734 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPDD60R102G7XTMA1.jpg
IPDD60R102G7XTMA1TR,IPDD60R102G7,SP001632832,IPDD60R102G7XTMA1DKR,IPDD60R102G7XTMA1CT
MOSFET (Metal Oxide)
139W (Tc)
N-Channel
600 V
23A (Tc)
102mOhm @ 7.8A, 10V
4V @ 390µA
34 nC @ 10 V
1320 pF @ 400 V
-
10V
IPDD60
Surface Mount
CoolMOS™ G7
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
10-PowerSOP Module
PG-HDSOP-10-1
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1,700
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BCW66HR
Бренд: Nexperia
Описание: BCW66HSOT23TO-236AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 800 mA 100MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
Подробнее
Артикул: STGF6NC60HD
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 600V 6A 20W TO220FP, IGBT - 600 V 6 A 20 W Through Hole TO-220FP
Подробнее
Артикул: IRL3215
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 12A TO220AB, N-Channel 150 V 12A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: MJE15030G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 150V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 8 A 30MHz 50 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 900L-T-2C
Бренд: American Hakko Products
Описание: TIP,2C,900L/908/914,
Подробнее
Артикул: SS9014CBU
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: 100MA, 45V, NPN, SI, SMALL SIGNA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 270MHz 450 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее