г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPI023NE7N3 G Infineon Technologies

Артикул
IPI023NE7N3 G
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3, N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Цена
363 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPI023NE7N3-G.jpg
IFEINFIPI023NE7N3 G,IPI023NE7N3 G-ND,2156-IPI023NE7N3 G-IT,IPI023NE7N3G
MOSFET (Metal Oxide)
300W (Tc)
N-Channel
75 V
120A (Tc)
2.3mOhm @ 100A, 10V
3.8V @ 273µA
206 nC @ 10 V
14400 pF @ 37.5 V
Through Hole
500
OptiMOS™
Tube
Obsolete
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
PG-TO262-3
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BCR112E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 140 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: 2N4918
Бренд: Solid State
Описание: TO 126 SILICON POWER TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 1 A 3MHz 30 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: IPP139N08N3G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 80 V 45A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: FDZ1416NZ
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2N-CH 4WLCSP, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain - - 500mW Surface Mount 4-WLCSP (1.6x1.4)
Подробнее
Артикул: T31-02JS02
Бренд: American Hakko Products
Описание: TIP,BENT,R0.2MM/30 X 1.8MM X 6.6,
Подробнее
Артикул: STTH12R06D
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC, Diode Standard 600 V 12A Through Hole TO-220AC
Подробнее