IPI80CN10N G Infineon Technologies
Артикул
IPI80CN10N G
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3, N-Channel 100 V 13A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPI80CN10N-G.jpg
PG-TO262-3
REACH Unaffected
N-Channel
100 V
10V
80mOhm @ 13A, 10V
4V @ 12µA
11 nC @ 10 V
±20V
716 pF @ 50 V
-
TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
MOSFET (Metal Oxide)
OptiMOS™
Tube
Obsolete
13A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
IPI80CN10N G-ND,IPI80CN10NG,SP000208938,SP000680758
500
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
31W (Tc)
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут