IPP037N08N3 G Infineon Technologies

Артикул

IPP037N08N3 G

Бренд

Infineon Technologies

Описание

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1,

Цена

146 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Bulk

Active

0000.00.0000

ROCINFIPP037N08N3 G,2156-IPP037N08N3 G

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: CSD18514Q5A

Бренд: Texas Instruments

Описание: MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON, N-Channel 40 V 89A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)

Артикул: SPP08P06PHXKSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO220-3, P-Channel 60 V 8.8A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Артикул: BU941ZT

Бренд: STMicroelectronics

Описание: TRANS NPN DARL 350V 15A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350 V 15 A - 150 W Through Hole TO-220

Артикул: IXFN280N085

Бренд: IXYS

Описание: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B, N-Channel 85 V 280A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Артикул: IRF7815PBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO, N-Channel 150 V 5.1A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Артикул: 1407-12-N

Бренд: RAF Electronic Hardware

Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON3/8 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.063" (27.00mm) 1 1/16" -

Похожие товары