г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPP086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPP086N10N3GXKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3, N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Цена
331 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPP086N10N3GXKSA1.jpg
IPP086N10N3 G,IPP086N10N3G,IPP086N10N3 G-ND,SP000680840
MOSFET (Metal Oxide)
125W (Tc)
N-Channel
100 V
80A (Tc)
8.6mOhm @ 73A, 10V
3.5V @ 75µA
55 nC @ 10 V
3980 pF @ 50 V
-
6V, 10V
IPP086
Through Hole
OptiMOS™
Tube
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-220-3
PG-TO220-3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
50
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1509-8-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON3/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.625" (41.28mm) 1 5/8" -
Подробнее
Артикул: DE275-102N06A
Бренд: IXYS
Описание: RF MOSFET N-CHANNEL DE275, RF Mosfet N-Channel - - 590W DE275
Подробнее
Артикул: MJE270G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 100V 2A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 6MHz 1.5 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: GBJ1506-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 15A GBJ, Bridge Rectifier Single Phase Standard 600 V Through Hole GBJ
Подробнее
Артикул: VS-VSUD405CW60
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 480A TO244, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600 V 480A Chassis Mount TO-244AB
Подробнее
Артикул: 1359-4-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN ALUMINUM1/4 HEX, Hex Spacer Unthreaded - Aluminum 1.938" (49.21mm) -
Подробнее