г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPP110N20N3GXKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3, N-Channel 200 V 88A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Цена
1 399 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPP110N20N3GXKSA1.jpg
TO-220-3
PG-TO220-3
REACH Unaffected
N-Channel
200 V
10V
11mOhm @ 88A, 10V
4V @ 270µA
87 nC @ 10 V
±20V
7100 pF @ 100 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
ROHS3 Compliant
OptiMOS™
Tube
Active
88A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
IPP110N20N3 G-ND,SP000677892,IPP110N20N3 G,IPP110N20N3G
50
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
IPP110
300W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRF430
Бренд: International Rectifier
Описание: 500V, N-CHANNEL REPETITIVE AVALA,
Подробнее
Артикул: 1N6544
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG, Diode
Подробнее
Артикул: IKW40N60H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 306 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: MJD41CTF
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A 3MHz 1.75 W Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Подробнее
Артикул: 1206-6-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS3/8 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 1.500" (38.10mm) 1 1/2" -
Подробнее
Артикул: 2SC5010-A
Бренд: CEL
Описание: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523, RF Transistor NPN 6V 30mA 12GHz 125mW Surface Mount -
Подробнее