г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPP126N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPP126N10N3GXKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3, N-Channel 100 V 58A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Цена
301 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPP126N10N3GXKSA1.jpg
SP000683088,2156-IPP126N10N3GXKSA1,IPP126N10N3 G-ND,INFINFIPP126N10N3GXKSA1,IPP126N10N3 G
MOSFET (Metal Oxide)
94W (Tc)
N-Channel
100 V
58A (Tc)
12.3mOhm @ 46A, 10V
3.5V @ 46µA
35 nC @ 10 V
2500 pF @ 50 V
-
6V, 10V
IPP126
Through Hole
OptiMOS™
Tube
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-220-3
PG-TO220-3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
50
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N4137
Бренд: Central Semiconductor
Описание: TRANSISTOR NPN 20V 200MA TO-18, Bipolar (BJT) Transistor 20 V 200 mA 500MHz 360 mW Through Hole TO-18
Подробнее
Артикул: ES1DL R3G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA, Diode Standard 200 V 1A Surface Mount Sub SMA
Подробнее
Артикул: FDS6930A
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: STN83003
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 400V 1.5A SOT-223, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 1.5 A - 1.6 W Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: MBR735
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO220-2, Diode Schottky 35 V 7.5A Through Hole TO-220-2
Подробнее
Артикул: 2N6277
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее