г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPP126N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPP126N10N3GXKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3, N-Channel 100 V 58A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Цена
301 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPP126N10N3GXKSA1.jpg
SP000683088,2156-IPP126N10N3GXKSA1,IPP126N10N3 G-ND,INFINFIPP126N10N3GXKSA1,IPP126N10N3 G
MOSFET (Metal Oxide)
94W (Tc)
N-Channel
100 V
58A (Tc)
12.3mOhm @ 46A, 10V
3.5V @ 46µA
35 nC @ 10 V
2500 pF @ 50 V
-
6V, 10V
IPP126
Through Hole
OptiMOS™
Tube
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-220-3
PG-TO220-3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
50
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N2896
Бренд: Solid State
Описание: TO 18 NPN SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 90 V 1 A 120MHz 500 mW Through Hole TO-18
Подробнее
Артикул: SPP17N80C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3, N-Channel 800 V 17A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: FQD3P50TM
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK, P-Channel 500 V 2.1A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: MJE5742
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 400V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 400 V 8 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: SF-C13
Бренд: Panasonic
Описание: CONTROL SAFETY GEN PURPOSE 24V, Machine Safety Controller General Purpose 24VDC Supply DIN Rail
Подробнее
Артикул: QSPR-01
Бренд: Samtec
Описание: ROUND SPACER QXX SERIES, Round Spacer Threaded
Подробнее