г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPP600N25N3GXKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPP600N25N3GXKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3, N-Channel 250 V 25A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Цена
610 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPP600N25N3GXKSA1.jpg
IPP600N25N3G,IPP600N25N3 G,IPP600N25N3 G-ND,SP000677832
MOSFET (Metal Oxide)
136W (Tc)
N-Channel
250 V
25A (Tc)
60mOhm @ 25A, 10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
2350 pF @ 100 V
-
10V
IPP600
Through Hole
OptiMOS™
Tube
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-220-3
PG-TO220-3-1
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
50
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N6532
Бренд: Harris
Описание: NPN POWER TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A - 65 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MUR880
Бренд: Harris
Описание: RECTIFIER DIODE, 8A, 800V, Diode
Подробнее
Артикул: BDV64B
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP DARL 100V 10A TO-218, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 10 A - 125 W Through Hole SOT-93
Подробнее
Артикул: 2N4899
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: 1N5419
Бренд: Semtech
Описание: DIODE GEN PURP 500V 4.5A AXIAL, Diode Standard 500 V 4.5A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: S1M-13-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA, Diode Standard 1000 V 1A Surface Mount SMA
Подробнее