г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPP60R099C6XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPP60R099C6XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3, N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Цена
1 357 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPP60R099C6XKSA1.jpg
IPP60R099C6,SP000687556,IPP60R099C6-ND
MOSFET (Metal Oxide)
278W (Tc)
N-Channel
600 V
37.9A (Tc)
99mOhm @ 18.1A, 10V
3.5V @ 1.21mA
119 nC @ 10 V
2660 pF @ 100 V
-
10V
IPP60R099
Through Hole
CoolMOS™
Tube
Not For New Designs
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-220-3
PG-TO220-3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
50
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: T0058762858
Бренд: Apex
Описание: H13 PARTICLE FILTER AND GAS FILT,
Подробнее
Артикул: T2035H-6T
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRIAC ALTERNISTOR 600V TO220AB, TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 20 A Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: BUZ73A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3, N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: BAV5004LP-7B
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 350V 300MA 2DFN, Diode Standard 350 V 300mA (DC) Surface Mount X1-DFN1006-2
Подробнее
Артикул: IXGN400N60B3
Бренд: IXYS
Описание: IGBT MOD 600V 430A 1000W SOT227B, IGBT Module PT Single 600 V 430 A 1000 W Chassis Mount SOT-227B
Подробнее
Артикул: FZTA14TA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN DARL 30V 1A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 1 A 170MHz 2 W Surface Mount SOT-223-3
Подробнее