IPT60R080G7XTMA1 Infineon Technologies
Артикул
IPT60R080G7XTMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 650V 29A 8HSOF, N-Channel 650 V 29A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
Цена
1 418 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPT60R080G7XTMA1.jpg
INFINFIPT60R080G7XTMA1,IPT60R080G7XTMA1DKR,IPT60R080G7XTMA1CT,IPT60R080G7XTMA1TR,SP001615904,2156-IPT60R080G7XTMA1,IPT60R080G7XTMA1-ND
MOSFET (Metal Oxide)
167W (Tc)
N-Channel
650 V
29A (Tc)
80mOhm @ 9.7A, 10V
4V @ 490µA
42 nC @ 10 V
1640 pF @ 400 V
-
10V
IPT60R080
Surface Mount
CoolMOS™ G7
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-40°C ~ 150°C (TJ)
8-PowerSFN
PG-HSOF-8-2
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
2,000
±20V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут