г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW60R080P7XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPW60R080P7XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3, N-Channel 600 V 37A (Tc) 129W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Цена
1 209 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPW60R080P7XKSA1.jpg
TO-247-3
PG-TO247-3
REACH Unaffected
N-Channel
600 V
10V
80mOhm @ 11.8A, 10V
4V @ 590µA
51 nC @ 10 V
±20V
2180 pF @ 400 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
ROHS3 Compliant
CoolMOS™ P7
Tube
Active
37A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001647040
30
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IPW60R080
129W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1535-A-2-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERPLAIN BRASS1/4, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.375" (9.53mm) 3/8" -
Подробнее
Артикул: NTE290A
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 80V 500MA TO92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 500 mA 120MHz 600 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 1141-4-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: 1_4-ROUND_SPACER, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.313" (33.34mm) -
Подробнее
Артикул: MMBT3906-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA 250MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IRF133
Бренд: Harris
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 80 V 12A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: MS2265
Бренд: Microsemi
Описание: TRANSISTOR, RF Transistor
Подробнее