г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW60R090CFD7XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPW60R090CFD7XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3, N-Channel 600 V 25A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Цена
1 318 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPW60R090CFD7XKSA1.jpg
TO-247-3
PG-TO247-3
REACH Unaffected
N-Channel
600 V
10V
90mOhm @ 11.4A, 10V
4.5V @ 570µA
51 nC @ 10 V
±20V
2103 pF @ 400 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
ROHS3 Compliant
OptiMOS™
Tube
Active
25A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001686056
30
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IPW60R090
125W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1161-10-S-1
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERCADMIUM (COMMERCIAL), Round Spacer Unthreaded - Steel 0.625" (15.88mm) 5/8" -
Подробнее
Артикул: NPTB00025B
Бренд: MACOM
Описание: HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ, RF Mosfet HEMT 28 V 225 mA 0Hz ~ 4GHz 13.5dB - -
Подробнее
Артикул: BAT15-099R
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MIXER DIODE, LOW BARRIER, X BAND, RF Diode
Подробнее
Артикул: SI7141DP-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8, P-Channel 20 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: KBPC610
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: 1PH BRIDGE KBPC 1000V 6A, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole KBPC6
Подробнее
Артикул: MTZJ12C
Бренд: EIC SEMICONDUCTOR
Описание: ZENER 500MW, CASE TYPE: DO-34 GL, Zener Diode 12 V 500 mW ±2.5% Through Hole DO-34
Подробнее