г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW60R099CPFKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPW60R099CPFKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3, N-Channel 650 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
1 760 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPW60R099CPFKSA1.jpg
IPW60R099CSX,IPW60R099CP,IPW60R099CPXK,SP000067147,IPW60R099CP-ND
MOSFET (Metal Oxide)
255W (Tc)
N-Channel
650 V
31A (Tc)
99mOhm @ 18A, 10V
3.5V @ 1.2mA
80 nC @ 10 V
2800 pF @ 100 V
-
10V
IPW60R099
Through Hole
CoolMOS™
Tube
Not For New Designs
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-247-3
PG-TO247-3-1
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
30
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SC-50-1-5
Бренд: Kilo International
Описание: KNOB KNURLED W/SKRT 0.250" METAL, Knurled, Straight Knob 0.250" (6.35mm) Shaft with Numbers on Skirt Metal Clear Gloss
Подробнее
Артикул: A2T18H455W23NR6
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO, RF Mosfet LDMOS 31.5 V 1.08 A 1.805GHz ~ 1.88GHz 14.5dB 56dBm OM-1230-4L2S
Подробнее
Артикул: UJ3D1250K2
Бренд: UnitedSiC
Описание: 1200V 50A SIC SCHOTTKY DIODE G3,, Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 50A (DC) Through Hole TO-247-2
Подробнее
Артикул: BZV55-C22,115
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 22V 500MW LLDS,
Подробнее
Артикул: HH-1-PK
Бренд: Brady
Описание: WIRE MARKER, 1.5 IN H,
Подробнее
Артикул: BC850B,235
Бренд: Nexperia
Описание: TRANS NPN 45V 100MA TO236AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
Подробнее