г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW60R125P6XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPW60R125P6XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3, N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Цена
985 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPW60R125P6XKSA1.jpg
ROCINFIPW60R125P6XKSA1,SP001114656,2156-IPW60R125P6XKSA1
MOSFET (Metal Oxide)
219W (Tc)
N-Channel
600 V
30A (Tc)
125mOhm @ 11.6A, 10V
4.5V @ 960µA
56 nC @ 10 V
2660 pF @ 100 V
-
10V
IPW60R125
Through Hole
CoolMOS™ P6
Tube
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-247-3
PG-TO247-3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
30
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N5817
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41, Diode Schottky 20 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: BLF1046,112
Бренд: Ampleon
Описание: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT467C, RF Mosfet LDMOS 26 V 300 mA 960MHz 14dB 45W SOT467C
Подробнее
Артикул: 1180-8-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON5/1, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.813" (46.04mm) -
Подробнее
Артикул: IRFB4332PBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IRFB4332 - 12V-300V N-CHANNEL PO, N-Channel 250 V 60A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRGBC30UD2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT W/DIODE 600V 23A TO-220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FERD30SM100ST
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE RECT 100V 30A TO220AB, Diode FERD (Field Effect Rectifier Diode) 100 V 30A Through Hole TO-220
Подробнее