г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW60R125P6XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPW60R125P6XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3, N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Цена
985 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPW60R125P6XKSA1.jpg
ROCINFIPW60R125P6XKSA1,SP001114656,2156-IPW60R125P6XKSA1
MOSFET (Metal Oxide)
219W (Tc)
N-Channel
600 V
30A (Tc)
125mOhm @ 11.6A, 10V
4.5V @ 960µA
56 nC @ 10 V
2660 pF @ 100 V
-
10V
IPW60R125
Through Hole
CoolMOS™ P6
Tube
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-247-3
PG-TO247-3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
30
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1SNA231000R0700
Бренд: TE Connectivity
Описание: RC510,
Подробнее
Артикул: 2N6213
Бренд: Microchip Technology
Описание: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: 1N4736A
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 6.8 V 1W DO-41G, Zener Diode 6.8 V 1 W ±5% Through Hole DO-41G
Подробнее
Артикул: IRF9Z34NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB, P-Channel 55 V 19A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: PB-104
Бренд: Global Specialties
Описание: EXT PWRD BRDBRD 3060 TIE-POINTS, Solderless Breadboard
Подробнее
Артикул: MBRD10200
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE SCHOTTKY 200V DPAK, Diode Schottky 200 V Surface Mount DPAK
Подробнее