г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW60R160C6FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPW60R160C6FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3, N-Channel 600 V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
946 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPW60R160C6FKSA1.jpg
TO-247-3
PG-TO247-3-1
REACH Unaffected
N-Channel
600 V
10V
160mOhm @ 11.3A, 10V
3.5V @ 750µA
75 nC @ 10 V
±20V
1660 pF @ 100 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
ROHS3 Compliant
CoolMOS™
Tube
Not For New Designs
23.8A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
IPW60R160C6-ND,IPW60R160C6,ROCINFIPW60R160C6FKSA1,SP000652798,2156-IPW60R160C6FKSA1
30
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IPW60R160
176W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRG4PC50FPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 70A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 70 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPAN60R125PFD7SXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 25A TO220, N-Channel 650 V 25A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: 1N5346B
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 9.1V 5W DO-15, Zener Diode 9.1 V 5 W ±5% Through Hole DO-15
Подробнее
Артикул: MUBW40-12T7
Бренд: IXYS
Описание: IGBT MODULE 1200V 62A 220W E2, IGBT Module Trench Three Phase Inverter with Brake 1200 V 62 A 220 W Chassis Mount E2
Подробнее
Артикул: FDS9933
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: P-CHANNEL POWER MOSFET, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: NDS355N
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI, N-Channel 30 V 1.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Подробнее