г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPW60R190P6FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3, N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Цена
673 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPW60R190P6FKSA1.jpg
TO-247-3
PG-TO247-3
REACH Unaffected
N-Channel
600 V
10V
190mOhm @ 7.6A, 10V
4.5V @ 630µ
11 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 100 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
ROHS3 Compliant
CoolMOS™ P6
Tube
Active
20.2A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
IPW60R190P6,INFINFIPW60R190P6FKSA1,IPW60R190P6-ND,SP001017090,2156-IPW60R190P6FKSA1
30
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IPW60R190
151W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SRS-2-650
Бренд: Bivar
Описание: ROUND SPACER #6 PVC 16.51MM, Round Spacer Unthreaded #6 PVC 0.650" (16.51mm) Gray
Подробнее
Артикул: 1N4730A
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 3.9V 1W DO41, Zener Diode 3.9 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: BD680AS
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP DARL 80V 4A TO-126, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80 V 4 A - 14 W Through Hole TO-126-3
Подробнее
Артикул: FZT953TA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PNP 100V 5A SOT-223, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 5 A 120MHz 3 W Surface Mount SOT-223-3
Подробнее
Артикул: IRG4PSH71U
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 99A 350W SUPER247, IGBT - 1200 V 99 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: 2N5366
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI-GEN PUR AMP SW, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 500 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее