г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW90R120C3XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPW90R120C3XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3, N-Channel 900 V 36A (Tc) 417W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-21
Цена
2 911 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IPW90R120C3XKSA1.jpg
TO-247-3
PG-TO247-3-21
N-Channel
900 V
10V
120mOhm @ 26A, 10V
3.5V @ 2.9mA
270 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 100 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
ROHS3 Compliant
IPW90R120
CoolMOS™
Tube
Active
36A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP002548896
30
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
417W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N4264
Бренд: onsemi
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 15 V 200 mA 350MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: MMBT3904
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 350 mW Surface Mount SOT23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRF7910PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 10A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: APT64GA90LD30
Бренд: Microchip Technology
Описание: IGBT 900V 117A 500W TO-264, IGBT PT 900 V 117 A 500 W Through Hole TO-264 [L]
Подробнее
Артикул: FDMF5804
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: FDMF5804, RF Mosfet
Подробнее
Артикул: MQCL-35-A
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 35 MM ALUMINUM SHAFT COLLAR,
Подробнее