г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRC640PBF VISHAY

Артикул
IRC640PBF
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-5, N-Channel 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-5
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRC640PBF.jpg
Through Hole
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
200 V
18A (Tc)
10V
180mOhm @ 11A, 10V
4V @ 250µA
±20V
1300 pF @ 25 V
Current Sensing
125W (Tc)
50
*IRC640PBF
HEXFET®
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-220-5
TO-220-5
IRC640
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
70 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: B511-2
Бренд: Sensata
Описание: MOD DIODE SCR 25A 120VAC ISO QC, SCR Module 400 V Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1) Chassis Mount Module with Isolation Barriers
Подробнее
Артикул: BC847BS
Бренд: onsemi
Описание: NPN MULTI-CHIP GENERAL PURPOSE A, Bipolar (BJT) Transistor Array
Подробнее
Артикул: FSB50550US
Бренд: onsemi
Описание: MODULE SPM 500V 1.2A SPM23, Power Driver Module MOSFET 3 Phase 500 V 2 A 23-PowerSMD Module, Gull Wing
Подробнее
Артикул: SCTW40N120G2V
Бренд: STMicroelectronics
Описание: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120, N-Channel 1200 V 36A (Tc) 278W (Tc) Through Hole HiP247™
Подробнее
Артикул: DSEE55-24N1F
Бренд: IXYS
Описание: DIODE ARRAY GP 1200V 60A I4PAC, Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1200 V 60A Through Hole i4-Pac™-3
Подробнее
Артикул: 157-ACS
Бренд: Century Spring
Описание: COMP O= .156,L=1.00,W=.016,
Подробнее