г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF1010Z Infineon Technologies

Артикул
IRF1010Z
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB, N-Channel 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRF1010Z.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
140W (Tc)
N-Channel
55 V
75A (Tc)
7.5mOhm @ 75A, 10V
4V @ 250µA
95 nC @ 10 V
2840 pF @ 25 V
-
10V
*IRF1010Z
Through Hole
50
HEXFET®
Tube
Obsolete
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-220-3
TO-220AB
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: DMG904010R
Бренд: Panasonic
Описание: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6, Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 100mA 150MHz 125mW Surface Mount SSMini6-F3-B
Подробнее
Артикул: BSC026N02KSG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BSC026N02 - 12V-300V N-CHANNEL P,
Подробнее
Артикул: UJ3D1725K2
Бренд: UnitedSiC
Описание: 1700V 25A SIC SCHOTTKY DIODE G3,, Diode Silicon Carbide Schottky 1700 V 25A (DC) Through Hole TO-247-2
Подробнее
Артикул: 1289-6-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL3/4 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.875" (22.23mm) 7/8" -
Подробнее
Артикул: MJ15022
Бренд: Solid State
Описание: TO 3 SILICON TRANSISTOR PNP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 16 A 4MHz 250 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: FMG2G100US60
Бренд: onsemi
Описание: IGBT MODULE 600V 100A 400W 7PMGA, IGBT Module - Half Bridge 600 V 100 A 400 W Chassis Mount 7PM-GA
Подробнее