г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF2907ZPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF2907ZPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB, N-Channel 75 V 160A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
549 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRF2907ZPBF.jpg
SP001571154,2156-IRF2907ZPBF,*IRF2907ZPBF,INFIRF2907ZPBF
MOSFET (Metal Oxide)
300W (Tc)
N-Channel
75 V
160A (Tc)
4.5mOhm @ 75A, 10V
4V @ 250µA
270 nC @ 10 V
7500 pF @ 25 V
-
10V
IRF2907
Through Hole
HEXFET®
Tube
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-220-3
TO-220AB
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
100
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: PCMR22-5-5-SS
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 5MMX5MM STAINLESS BEAM CPLNG,
Подробнее
Артикул: 1130-2-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN ALUMINUM1/4 RD, Round Spacer Unthreaded - Aluminum 0.625" (15.88mm) 5/8" -
Подробнее
Артикул: AOK53S60
Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
Описание:

MOSFET N-CH 600V 53A TO247, N-Channel 600 V 53A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247

Подробнее
Артикул: TIP35B
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- PWR AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 25 A 3MHz 125 W Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: FGH25N120FTDS
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1200V 50A 313W TO247, IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 313 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: STGD10NC60HT4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 600V 20A 60W DPAK, IGBT - 600 V 20 A 60 W Surface Mount DPAK
Подробнее