г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF5210PBF Infineon Technologies

Артикул
IRF5210PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB, P-Channel 100 V 40A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
450 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRF5210PBF.jpg
TO-220-3
TO-220AB
REACH Unaffected
P-Channel
100 V
10V
60mOhm @ 24A, 10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 25 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
ROHS3 Compliant
HEXFET®
Tube
Active
40A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001559642,*IRF5210PBF
50
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
IRF5210
200W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: NE85633-T1B
Бренд: CEL
Описание: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23, RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: BC547BRL1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 45V 0.1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: 1211-12-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON3/8, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.813" (46.04mm) -
Подробнее
Артикул: TIP111
Бренд: Solid State
Описание: TO 220 2.0 AMP DARLINGTON TRANSI, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 2 A - 50 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: SBRT60U60CT
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SBR 60V 60A TO-220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Super Barrier 60 V 30A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 1162-6-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS5/16 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.688" (17.48mm) 11/16" -
Подробнее