г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF6603 Infineon Technologies

Артикул
IRF6603
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET, N-Channel 30 V 27A (Ta), 92A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRF6603.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
3.6W (Ta), 42W (Tc)
N-Channel
30 V
27A (Ta), 92A (Tc)
3.4mOhm @ 25A, 10V
2.5V @ 250µA
72 nC @ 4.5 V
6590 pF @ 15 V
-
4.5V, 10V
IRF6603TR,SP001530098,IRF6603CT,*IRF6603
Surface Mount
4,800
HEXFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Obsolete
-40°C ~ 150°C (TJ)
DirectFET™ Isometric MT
DIRECTFET™ MT
RoHS non-compliant
3 (168 Hours)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
+20V, -12V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FDN537N
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3, N-Channel 30 V 6.5A (Ta), 6.5A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 2N3700
Бренд: Solid State
Описание: TRANS NPN 80V 1A TO18, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 400MHz 500 mW Through Hole TO-18
Подробнее
Артикул: IRG7PH42U-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 90A 385W TO247AD, IGBT Trench 1200 V 90 A 385 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: SIHG24N65E-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC, N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BZX79-C10,133
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NEXPERIA BZX79-C10 - ZENER DIODE, Zener Diode 10 V 400 mW ±5% Through Hole ALF2
Подробнее
Артикул: IXXX200N60B3
Бренд: IXYS
Описание: IGBT, IGBT - 600 V 380 A 1630 W Through Hole PLUS247™-3
Подробнее