г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF6641TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF6641TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET, N-Channel 200 V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Цена
417 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRF6641TRPBF.jpg
DirectFET™ Isometric MZ
DIRECTFET™ MZ
REACH Unaffected
N-Channel
200 V
10V
59.9mOhm @ 5.5A, 10V
4.9V @ 150µA
48 nC @ 10 V
±20V
2290 pF @ 25 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
ROHS3 Compliant
HEXFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
4.6A (Ta), 26A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
2156-IRF6641TRPBF,IRF6641TRPBF-ND,IRF6641TRPBFCT,SP001559700,IRF6641TRPBFDKR,IRF6641TRPBFTR,IFEINFIRF6641TRPBF
4,800
Surface Mount
-40°C ~ 150°C (TJ)
IRF6641
2.8W (Ta), 89W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BZX79C3V6
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35, Zener Diode 3.6 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: KBL005
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: BRIDGE RECTIFIER DIODE, Bridge Rectifier Single Phase Standard 50 V Through Hole KBL
Подробнее
Артикул: BSS223PWH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3, P-Channel 20 V 390mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: 1N4756A
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 47 V 1W DO-41G, Zener Diode 47 V 1 W ±5% Through Hole DO-41G
Подробнее
Артикул: FDP8N50NZ
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8, N-Channel 500 V 8A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: STP7NM80
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220-3, N-Channel 800 V 6.5A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее