г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF6668TR1 Infineon Technologies

Артикул
IRF6668TR1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ, N-Channel 80 V 55A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRF6668TR1.jpg
DIRECTFET™ MZ
REACH Unaffected
N-Channel
80 V
10V
15mOhm @ 12A, 10V
4.9V @ 100µA
31 nC @ 10 V
±20V
1320 pF @ 25 V
-
DirectFET™ Isometric MZ
MOSFET (Metal Oxide)
HEXFET®
Tape & Reel (TR)
Obsolete
55A (Tc)
3 (168 Hours)
EAR99
8541.29.0095
1,000
Surface Mount
-40°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
2.8W (Ta), 89W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MMBF5458
Бренд: onsemi
Описание: N-CHANNEL GENERAL PURPOSE AMPLIF,
Подробнее
Артикул: KBPC3510W
Бренд: Solid State
Описание: 35 AMP BRIDGE RECTIFIER, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole KBPC-W
Подробнее
Артикул: ACX114EUQ-7R
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 3K, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 270mW Surface Mount SOT-363
Подробнее
Артикул: 2N3714
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 80V 10A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 10 A 4MHz 150 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: SBL1060CT
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60 V 10A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 2N3772
Бренд: Microchip Technology
Описание: TO-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 5 mA - 6 W Through Hole TO-3
Подробнее