г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7379 Infineon Technologies

Артикул
IRF7379
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/IRF7379.jpg
Surface Mount
*IRF7379
2.5W
N and P-Channel
30V
5.8A, 4.3A
45mOhm @ 5.8A, 10V
1V @ 250µA
25nC @ 10V
520pF @ 25V
95
8541.29.0095
HEXFET®
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SO
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
Standard

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRFL014TRPBF-BE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223, N-Channel 60 V 2.7A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: FZ1600R12HP4
Бренд: Infineon Technologies
Описание: FZ1600R12 - IGBT MODULE, IGBT
Подробнее
Артикул: TA-3616
Бренд: WEC
Описание: TELEMETRY AMPLIFIER,
Подробнее
Артикул: 0609-SS
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STAINLESS STE, #6-32 Knob Panel Screw Slotted Drive Stainless Steel
Подробнее
Артикул: IRG4PC30UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 23A 100W TO247AC, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: ZTX601B
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN DARL 160V 1A E-LINE, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 160 V 1 A 250MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Подробнее