г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF743 Harris

Артикул
IRF743
Бренд
Harris
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 350 V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Цена
160 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
-
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
350 V
8A (Tc)
10V
800mOhm @ 5.2A, 10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1250 pF @ 25 V
-
TO-220
1 (Unlimited)
Bulk
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
RoHS non-compliant
EAR99
8541.29.0095
2156-IRF743,HARHARIRF743
1
Vendor Undefined
125W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IXGQ50N60B4D1
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 600V 100A 300W TO3P, IGBT PT 600 V 100 A 300 W Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: STGF10NB60SD
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 600V 23A 25W TO220FP, IGBT - 600 V 23 A 25 W Through Hole TO-220FP
Подробнее
Артикул: NPT1004D
Бренд: MACOM
Описание: HEMT N-CH 28V 45W DC-4GHZ 8SOIC, RF Mosfet HEMT 28 V 350 mA 0Hz ~ 4GHz 13dB 37dBm 8-SOIC-EP
Подробнее
Артикул: 2SB1188T100R
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PNP 32V 2A SO-89, Bipolar (BJT) Transistor PNP 32 V 2 A 100MHz 2 W Surface Mount MPT3
Подробнее
Артикул: PM25RSB120
Бренд: Powerex
Описание: MOD IPM 7PAC 1200V 25A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 1.2 kV 25 A Power Module
Подробнее
Артикул: SS2060LHE_R1_00001
Бренд: Panjit International
Описание: SOD-123HE, SKY, Diode Schottky 60 V 2A Surface Mount SOD-123HE
Подробнее