г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7492PBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7492PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO, N-Channel 200 V 3.7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRF7492PBF.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
2.5W (Ta)
N-Channel
200 V
3.7A (Ta)
79mOhm @ 2.2A, 10V
2.5V @ 250µA
59 nC @ 10 V
1820 pF @ 25 V
-
10V
SP001554342
Surface Mount
HEXFET®
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SO
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
95
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BZX84-B11,235
Бренд: Nexperia
Описание: DIODE ZENER 11V 250MW TO236AB, Zener Diode 11 V 250 mW ±2% Surface Mount TO-236AB
Подробнее
Артикул: SMD2020
Бренд: Chip Quik
Описание: SOLDER SPHERES SN96.5/AG3.0/CU0., Lead Free - Solder Sphere Sn96.5Ag3Cu0.5 (96.5/3/0.5) - Jar
Подробнее
Артикул: 1360-8-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL1/4 HEX X 2, Hex Spacer Unthreaded - Steel 2.000" (50.80mm) 2" -
Подробнее
Артикул: 2N4919
Бренд: Solid State
Описание: TO 126 SILICON POWER TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 3MHz 30 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: EMB10T2R
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Подробнее
Артикул: 1462-6-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS5/8 HEX X 5, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.625" (15.88mm) 5/8" -
Подробнее