г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7832Z Infineon Technologies

Артикул
IRF7832Z
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO, N-Channel 30 V 21A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRF7832Z.jpg
8-SO
REACH Unaffected
N-Channel
30 V
4.5V, 10V
3.8mOhm @ 20A, 10V
2.35V @ 250µA
45 nC @ 4.5 V
±20V
3860 pF @ 15 V
-
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS non-compliant
HEXFET®
Tube
Obsolete
21A (Ta)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001554428
95
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
2.5W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: DMP2200UFCL-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET 8V~24V U-DFN1616-6, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.7A 660mW Surface Mount U-DFN1616-6
Подробнее
Артикул: MSCD165-16
Бренд: Microsemi
Описание: DIODE MODULE 1.6KV 165A SD2, Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1600 V 165A Chassis Mount D2
Подробнее
Артикул: 1126-8-B-1
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERCADMIUM (COMMERCIAL), Round Spacer Unthreaded - Brass 0.375" (9.53mm) 3/8" -
Подробнее
Артикул: IGN1011L70
Бренд: Integra Technologies
Описание: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND, RF Mosfet GaN HEMT 50 V 22 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 22dB 80W PL32A2
Подробнее
Артикул: SVD2955T4G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK, P-Channel 60 V 12A (Ta) 55W (Tj) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: IPP111N15N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3, N-Channel 150 V 83A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее