г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7853PBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7853PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO, N-Channel 100 V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Цена
250 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRF7853PBF.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
2.5W (Ta)
N-Channel
100 V
8.3A (Ta)
18mOhm @ 8.3A, 10V
4.9V @ 100µA
39 nC @ 10 V
1640 pF @ 25 V
-
10V
SP001566352
Surface Mount
3,800
HEXFET®
Tube
Discontinued at Digi-Key
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SO
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N5402G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD, Diode Standard 200 V 3A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: MRF8VP13350NR5
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: RF POWER LDMOS TRANSISTOR 700-13, RF Mosfet LDMOS 50 V 100 mA 700MHz ~ 1.3GHz 19.2dB 350W OM-780G-4L
Подробнее
Артикул: MRFE6VP61K25HR5
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230, RF Mosfet LDMOS (Dual) 50 V 100 mA 230MHz 24dB 1250W NI-1230
Подробнее
Артикул: DSI45-12A
Бренд: IXYS
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 45A TO247AD, Diode Standard 1200 V 45A Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: 1000-125-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: PANEL SCREW RETAINERPLAIN BRASS1,
Подробнее
Артикул: 1222-6-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL1/2 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.563" (14.30mm) 9/16" -
Подробнее