г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF8113 Infineon Technologies

Артикул
IRF8113
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO, N-Channel 30 V 17.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRF8113.jpg
8-SO
REACH Unaffected
N-Channel
30 V
4.5V, 10V
5.6mOhm @ 17.2A, 10V
2.2V @ 250µA
36 nC @ 4.5 V
±20V
2910 pF @ 15 V
-
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS non-compliant
HEXFET®
Tube
Obsolete
17.2A (Ta)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
*IRF8113
95
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
2.5W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FES16DT
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: RECTIFIER DIODE, Diode Standard 200 V 16A Through Hole TO-220-2
Подробнее
Артикул: 1363-4-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON5/16, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.250" (6.35mm) 1/4" -
Подробнее
Артикул: 1N483B
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35, Diode Standard 80 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 1372-6-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON5/16, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.813" (20.65mm) 13/16" -
Подробнее
Артикул: IMD2AT108
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Подробнее
Артикул: SPB-39-ST
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 2-7/16" STAINLESS SHAFT COLLAR,
Подробнее